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        產(chǎn)品中心

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        當(dāng)前位置:首頁產(chǎn)品中心實(shí)驗(yàn)真空爐C2氣相沉積爐C2GR16-氣相沉積爐

        C2GR16-氣相沉積爐

        產(chǎn)品簡(jiǎn)介

        C2GR16-氣相沉積爐熱誘導(dǎo)的化學(xué)氣相滲透(英語:chemical vaporinfiltration ,CV)是一個(gè)與CVD有關(guān)的技術(shù),以在基體材料滲入多孔或纖維預(yù)成型件以制備由復(fù)合材料制成的部件具有改善的機(jī)械性能,耐腐蝕性,耐熱沖擊性和低殘余應(yīng)力。

        產(chǎn)品型號(hào):
        更新時(shí)間:2024-11-28
        廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
        訪問量:15148
        詳細(xì)介紹

        一、C2GR16-氣相沉積爐基本原理與特點(diǎn)

        1.基本原理:
        熱誘導(dǎo)化學(xué)氣相沉積(英語:chemical vapor deposition ,CVD)是用于各種電介質(zhì),半導(dǎo)體和金屬材料的保護(hù)涂層的沉積的有力方式,無論是單晶,多晶,無定形或外延狀態(tài)上或大或小的形態(tài)。典型的涂層材料包括熱解碳,碳化硅,氮化硼。通過使用合成前體,涂層非常純凈并目滿足半導(dǎo)體工業(yè)的典型要求,根據(jù)工藝參數(shù),可以有多種層厚度,從單個(gè)或幾個(gè)原子層到厚度從10納米到數(shù)百微米的固體保護(hù)層或功能層,以及厚度達(dá)100微米的單片部件,甚至高達(dá)數(shù)毫米。

        2.設(shè)備特點(diǎn):
        (1)采用臥式、側(cè)開門結(jié)構(gòu),裝、卸料精度高,操作方便;
        (2)采用優(yōu)良的控制技術(shù),能精密控制MTS的流量和壓力,爐膛內(nèi)沉積氣流穩(wěn)定,壓力波動(dòng)范圍??;
        (3)溫度均勻性好,平均溫度均勻性為±5℃;
        (4)采用多通道沉積氣路,流場(chǎng)均勻,無沉積死角,沉積效果好;
        (5)全封閉沉積室,密封效果好,抗污染能力強(qiáng);
        (6)安全性能好,采用HMI+PLC+PID程序控制,安全可靠;
        (7)對(duì)沉積產(chǎn)生的高腐蝕性尾氣、易燃易爆氣體、固體粉塵及低熔點(diǎn)粘性產(chǎn)物能進(jìn)行有效處理;
        (8)多級(jí)高效尾氣處理系統(tǒng),環(huán)境友好,能高效收集焦油及副產(chǎn)物,易清理;
        (9)采用設(shè)計(jì)防腐蝕真空機(jī)組,持續(xù)工作時(shí)間長(zhǎng),維修率極低。

        二、C2GR16-氣相沉積爐主要技術(shù)參數(shù):

        1 編號(hào) C2GR16
        2 產(chǎn)品型號(hào) VHCgr-20/20/30-1600
        3 最高設(shè)計(jì)溫度(℃) 1600
        4 加熱元件 等靜壓石墨
        5 加熱功率(kW) 45
        6 冷態(tài)極限真空度(Pa) 6.7x10-3Pa(空爐、冷態(tài)、經(jīng)凈化)
        7 測(cè)溫元件 鎢錸熱電偶
        8 升溫速率 1~20℃/min
        9 溫度均勻性 ±5℃(5點(diǎn)測(cè)溫,恒溫區(qū)1000℃保溫1h后檢測(cè))
        10 爐膛尺寸(mm) 200x200x300(WxHxD)
        11 可通入氣氛 1路CH3SiCI3、1路氨氣、1路氫氣、1路氮?dú)?/td>
        12 氣氛流量計(jì) 4路質(zhì)量流量計(jì)
        13 設(shè)備外形尺寸(mm) 1425x1550x1850mm(LxWxH)

         

        三、化學(xué)氣相沉積爐(CVD氣相沉積爐)產(chǎn)品展示圖:

        C2GR16-氣相沉積爐

        C2GR16-氣相沉積爐

         

         

         

         

         

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