氣相沉積爐（立式）是用于各種電介質(zhì)，半導(dǎo)體和金屬材料的保護(hù)涂層的沉積的有力方式，無(wú)論是單晶，多晶，無(wú)定形或外延狀態(tài)上或大或小的形態(tài)。典型的涂層材料包括熱解碳，碳化硅，氮化硼。通過(guò)使用合成前體，涂層非常純凈并目滿足半導(dǎo)體工業(yè)的典型要求，根據(jù)工藝參數(shù)，可以有多種層厚度，從單個(gè)或幾個(gè)原子層到厚度從10納米到數(shù)百微米的固體保護(hù)層或功能層，以及厚度達(dá)100微米的單片部件，甚至高達(dá)數(shù)毫米。