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        技術文章

        TECHNICAL ARTICLES

        當前位置:首頁技術文章

        • 201811-20
          先進陶瓷注射成型工藝

          先進陶瓷注射成型工藝陶瓷注射成型(CeramicInjectionMolding,簡稱CIM)是將聚合物注射成型方法與陶瓷制備工藝相結合而發展起來的一種制備陶瓷零部件的新工藝。特別是對尺寸精度高、形狀復雜的陶瓷制品的大批量生產,采用陶瓷粉末注射成型有優勢。目前,陶瓷注射成型已廣泛用于各種陶瓷粉料和各種工程陶瓷制品的成型,通過該工藝制備的各種精密陶瓷零部件,已用于航空、汽車、機械、能源、光通訊、生命醫學等領域。圖1陶瓷注射成型示意圖一、陶瓷粉末注射成型的技術特點從技術特點來說,...

        • 201811-19
          真空脫脂燒結一體爐設備優勢在哪可以體現出來

          真空脫脂燒結一體爐主要用于MIM/PM不銹鋼制品、多孔過濾材料、硬質合金、高溫合金、高比重合金、磁性材料、碳化物等制品的脫脂與燒結,可在同一爐體內實現連續脫脂與燒結兩道生產工序。真空脫脂燒結一體爐可在同一爐體內實現連續脫脂與燒結兩道生產工序。同爐體脫脂與燒結,可免除產品反復搬移、加熱與冷卻,提升產品質量,縮短生產周期,提高生產效率。脫脂密封爐膽和捕脂器以減少內爐壁、隔熱屏及發熱體污染,脫脂與集脂更加有效,密封爐膽有利于改善爐溫均勻性。定向氣流脫脂,強化脫脂效果,脫脂更趨*???..

        • 201811-7
          先進陶瓷干壓成型工藝

          成型工藝在整個陶瓷材料的制備過程中起著承上啟下的作用,是保證陶瓷材料及部件的性能可靠性及生產可重復性的關鍵。陶瓷常用的成型方法有干壓、注漿、流延以及注射等,其中干壓成型是應用廣泛的一種成型工藝,也是手機陶瓷背板主流的成型工藝之一,下面詳細了解一下陶瓷干壓成型工藝。一、干壓成型干壓成型又稱模壓成型,是常用的成型方法之一。干壓成型是將經過造粒后流動性好,顆粒級配合適的粉料,裝入金屬模腔內,通過壓頭施加壓力,壓頭在模腔內位移,傳遞壓力,使模腔內粉體顆粒重排變形而被壓實,形成具有一定...

        • 201811-5
          介紹多功能燒結爐的用途以及結構組成、優點

          多功能燒結爐采用高純石墨作發熱體,WRe熱電偶作測溫元件,用精密數顯程序控溫儀控溫,能實現爐溫的自動程序升降或手動升降溫。采用電動液壓升降機構對試樣(模具)加荷,由精密壓力傳感器和數顯測力計檢測加荷力的大小,加荷速度連續可調,同時可實現自動加荷。由二級真空機組對爐膛進行抽真空,可實現樣品的真空熱壓燒結。同時也可注入適量保護氣氛或反應氣氛作氣氛熱壓燒結。配置所需坩堝后可用于常規真空燒結試驗或真空熔煉。多功能燒結爐用途:設備廣泛應用于結構陶瓷、功能陶瓷、生物陶瓷、人工晶體、復合材...

        • 201810-22
          藍寶石晶體生長及退火工藝

          藍寶石(Sapphire)是一種氧化鋁(α-Al2O3)的單晶,又稱為剛玉。藍寶石晶體具有優異的光學性能、機械性能和化學穩定性,強度高、硬度大、耐沖刷,可在接近2000℃高溫的惡劣條件下工作,因而被廣泛的應用于紅外軍事裝置、衛星空間技術、高強度激光的窗口材料。其*的晶格結構、優異的力學性能、良好的熱學性能使藍寶石晶體成為實際應用的半導體GaN/Al2O3發光二極管(LED),大規模集成電路SOI和SOS及超導納米結構薄膜等為理想的襯底材料。近年來,隨著現代科學技術的發展,對藍...

        • 201810-22
          對箱式氣氛爐的主要結構和配置進行說明

          箱式氣氛爐爐體采用雙層爐殼結構,雙層爐殼之間裝有風機,可以快速升降溫,爐殼表面溫度低。可用于氮氣、氬氣等惰性氣體下產品燒結實驗。爐膛材料采用的進口氧化鋁多晶纖維制成,節能50%,二面或上下加熱,溫場均勻。加熱元件采用硅鉬棒或高溫鉬絲。箱式氣氛爐溫度控制系統采用人工智能調節技術,具有PID調節、模糊控制、自整定能力并可編制各種升溫程序等功能,該控制系統溫度顯示精度為1℃,溫場穩定度±5℃,升溫速率1~20℃可任意設置。設備主要結構和配置:1、爐殼:雙層爐殼結構,內...

        • 201810-16
          碳化硅單晶材料的制備及缺陷分析

          碳化硅單晶材料的制備及缺陷分析以硅(Si)、砷化鎵(GaAs)為代表的代和第二代半導體材料的高速發展,推動了微電子、光電子技術的迅猛發展。然而受材料性能所限,這些半導體材料制成的器件大都只能在200℃以下的環境中工作,不能滿足現代電子技術對高溫、高頻、高壓以及抗輻射器件的要求。作為第三代寬帶隙半導體材料的代表,碳化硅(SiC)單晶材料具有禁帶寬度大、熱導率高、電子飽和遷移速率高和擊穿電場高等性質。SiC器件在高溫、高壓、高頻、大功率電子器件領域和航天、軍工、核能等環境應用領域...

        • 201810-8
          壓力燒結爐的應用范圍及正確操作說明

          壓力燒結爐結合了脫蠟、真空燒結和后續的熱等靜壓致密化等工藝,用于硬質合金或工程陶瓷的處理,可在真空、反應氣體和高至100巴的壓力下工作。該設備的加熱元件采用陶瓷纖維加熱扳或陶瓷發熱棒,可滿足快速升溫工藝要求;溫控系統采用進口多段智能程序溫度控制儀控制,溫度控制系統的穩定性、重復性十分可靠;變頻無級調速,不銹鋼網帶傳送,全新的外觀設計理念,確保了產品平穩輸送。設備主要用于特種陶瓷,精密陶瓷,熒光粉,發光粉,粉末冶金,鋰電池材料等無機材料的燒結。應用范圍:用于特種陶瓷,精密陶瓷,...

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